方案特点

　　包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能，C-V测试最多同时支持测试四条不同频率下的曲线。

　　测试和计算过程由软件自动执行，能够显示数据和曲线，节省时间。

　　提供外置直流偏压盒，最高偏压支持到正负200V，频率范围100Hz-1MHz。

　　支持使用吉时利24XX/26XX系列源表提供偏压。

　　测试功能

　　电压-电容扫描测试

　　频率-电容扫描测试

　　电容-时间扫描测试

　　MOS器件二氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度等参数的计算

　　原始数据图形化显示和保存

　　MOS电容的C-V特性测试方案

　　系统结构

　　系统主要由源表、LCR表、探针台和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~30MHz。源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过偏置夹具盒CT8001加载在待测件上。

　　LCR表测试交流阻抗的方式是在HCUR端输出交流电流，在LCUR端测试电流，同时在HPOT和LPOT端测量电压值。电压和电流通过锁相环路同步测量，可以精确地得到两者之间的幅度和相位信息，继而可以推算出交流阻抗参数。

　　LCR表与待测件连接图

　　CV特性曲线测试结果

       以上就是LCR表在半导体分立器件 C-V 特性测试方案的相关介绍，如果您有更多疑问或需求可以关注西安安泰测试**哦！非常荣幸为您排忧解难。