随着科技的发展，现有半导体材料已经经过了三个发展阶段，第三代半导体展现出了高压、高频、高速、低阻的优点，其击穿电压，在在某些应用中可高到1200-1700V。这些特点带来如下新特性：

　　极低的内部电阻，与同类硅器件相比，效率可提高70%

　　低电阻可改善热性能(最高工作温度增加了)和散热，并可获得更高的功率密度

　　散热得到优化，与硅器件相比，就可采用更简单的封装、尺寸和重量也大大减少

　　极短的关断时间(GaN器件接近于零)，能工作于很高的开关频率，工作温度也更低

　　这些特性，在功率器件尤其是MOSFET以及IGBT上面的应用最为广泛。

　　因此，在第三代半导体高速发展的同时，测量技术也面临全面升级，特别是高电压、大电流、高频率测试，以及电容特性（CV）特性。

　　现今，市场上功率器件CV特性测试仪器，普遍存在下列痛点：

　　1.进口设备

　　进口设备功能全、一体化集成度高、测试准确，但是有如下缺点：

　　a)价格昂贵，动则几十万甚至上百万的价格，一般企业很难承受。

　　b)操作繁琐，集成了太多功能加上大多英文化的操作界面，对于用户操作并不友好。

　　c)测试效率低，一台设备可能完成动态特性、静态特性的全部测试，但是接线负责、操作难度大，测试结果用时较长，测试效率无法保障。

　　2.国产设备

　　在进口设备无法满足用户测试需求的情况下，国产设备应运而生，以相对功能单一、操作方便、价格低廉快速占领了一部分市场，但是，这些设备同样也有如下缺点：

　　a）体积庞大，大多数国产设备，由于没有专业的电容测试经验，通常是用几台电源、一台LCR、工控机或者PLC、机箱、测试工装等组合而成，因此体积过大，无法适用于自动化产线快速生产。

　　b）漏源电压VDS过低，大多最高只能达到1200V左右，已无法满足第三代半导体功率器件测试需求。

　　c）测量精度低，由于缺乏专业电容测量经验，加上过多的转接，导致电容特别是pF级别的小电容无法达到合适的测量精度。

　　d）测试效率低，同样由于组合仪器过多，加上需用工控机或PLC控制过多仪器，导致测试单个器件时间过长。

　　e）扩展性差，由于设备过多，各种仪器不同的编程协议，很难开放第三方接入以集成至客户产线自动化测试整体方案中。

　　针对这些痛点同惠推出了针对半导体功率器件CV特性的解决方案。

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