被测件：简单封装+硅片原型件频率范围：1M~20MHz电平范围：5mV试项目：电感值、Q值、频响测试仪器：TH2851+CS-4（探针台）测试时的环境条件和地点发布时间：2026-02-26

一、测试概述为支持西安某高校微电子学院自主研发的三端器件性能验证，概伦电子技术团队携高性能半导体参数分析仪FS PRO，联合标准探针台开展系统性电学测试。测试涵发布时间：2026-02-10

TH2851系列采用宽带自动调零型自动平衡电桥技术，四端对测试配置，在10Hz - 130MHz频率、25mΩ - 40MΩ阻抗范围内，可实现理想10%测量精度，最高精度达0.08%，具备高精度、高稳...发布时间：2026-02-09

新能源充电桩的测试是一项系统工程，旨在验证其安全性、性能及可靠性。一个完整的测试系统通常由核心测试仪器、电源与模拟装置、负载装置以及特定的测试附件组成，各部分协发布时间：2026-02-02

网络分析仪测试器件S参数操作指南发布时间：2026-01-28

随着材料测试领域的不断扩大，生产高性能纤维及复合材料的企业日益增多，材料的介电常数及损耗角正切的测量也变得十分重要。本次测试实例分享的是：使用T5260A-2K发布时间：2026-01-19

一、测试目的通过测试不同频率下丝素蛋白膜、PDMS薄膜及丝素蛋白+PDMS复合膜的介电常数，分析材料电学特性，确保材料适配目标器件的电学工作机制，保障器件性能稳发布时间：2026-01-05

我们已有6514静电计的情况下，想要测试多台电荷传感器时，往往一台静电计无法满足多路同步测试的需求，同时采购多台静电计成本又会很高，这个时候我们就可以考虑使用矩阵开关、多路采集卡、程控软件来配套使用来...发布时间：2025-12-23

本次测试旨在对碳化硅材料进行高阻值及漏电流性能评估，测试仪器采用TH2690高阻计，测试环境为图灵实验室，测试时环境温度为25.5C，相对湿度为60%，环境条件发布时间：2025-12-09

一、EMI测试原理首先提一个问题，什么是EMI测试？很多人会问道，为什么要对电子设备进行EMI测试，这就涉及到了这篇文章的重点：EMI的原理及测试方法。EMI（发布时间：2025-11-26

西安某大学某电子学院，客户打算进行高精度的ADC研发和测试。这次我们的技术工程师带上了高性能的任意波形发生器AT-7174产生了300ps窄脉冲，使用泰克MSO发布时间：2025-11-19

在半导体技术持续演进的当下，二维（2D）层状半导体凭借原子级厚度带来的卓越栅场穿透特性，成为未来晶体管通道材料的关键候选者。对这类新材料的参数精准测定，是推动其发布时间：2025-11-04

线缆插入损耗测试被测件：线缆长度：70cm（不带转接头）频率范围：100~800MHz功率：0dBm测试项目：插入损耗（S21）测试仪器：SNA5026X-E；发布时间：2025-11-03

一、概述该方案旨在使用TH2690高精度静电计，对半导体材料进行电学特性测试。通过电流测试模式，评估材料在不同条件下的响应特性，为客户的材料研究与产品开发提供数发布时间：2025-10-28

对于线缆生产的厂家，会有规定的线缆的出厂合格标准，对于线缆容值以及电感量有明确的要求，但是要如何方便快捷的测量这些参数并且适应于产线上呢，这就不得不提到我们LC发布时间：2025-09-22

一、测试设备及参数仪器名称型号规格核心功能关键参数数字万用表DMM6500（2 台）高精度电阻、温度测量电阻测量精度：0.001%（四端法）；电压分辨率：100发布时间：2025-09-08

应某企业要求，安泰测试帮客户测试射频信号源输出信号的谐波。评估射频源输出信号的纯净度频率：1GHz幅度：0dBm测试仪器：海得逻捷PXE-200频谱分析仪（带自发布时间：2025-09-04

一、测试原理TCR（温度系数）=（R2−R1）/{R1(T2−T1)}106 (单位：ppm/C)其中：——R1：参考温度T1(通常为25C)下的电阻值—发布时间：2025-08-28

IGBT是什么IGBT是一个超级电子开关，它能耐受超高电压。我们家中插座里的市电交流电电压是220V，而薄如纸张的IGBT芯片能承受的电压最高可达6500V。我发布时间：2025-08-18

应客户需求，安泰测试做了偏振片电磁特性测试，以下是测试方案被测件：偏振片 厚度：带膜（230um）；不带膜（160um）测试要求及内容：不带膜条件下，不同角度的发布时间：2025-08-08